上海伯東 KRi 射頻離子源 RFICP 220

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上海伯東代理美國原裝進口 kri 射頻離子源 rficp 220 高能量柵極離子源, 適用于離子濺鍍, 離子沉積和離子蝕刻. 在離子束濺射工藝中, 射頻離子源 rficp 220 配有離子光學(xué)元件, 可以很好的控制離子束去濺射靶材, 實現(xiàn)完美的薄膜特性. 同樣的在離子束輔助沉積和離子束刻蝕工藝中, 好的離子光學(xué)元件能夠完成發(fā)散和聚集離子束的任務(wù). 標準配置下射頻離子源 rficp 220 離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 800 ma.
kri 射頻離子源 rficp 220 技術(shù)參數(shù):
型號
rficp 220
discharge 陽極
rf 射頻
離子束流
>800 ma
離子動能
100-1200 v
柵極直徑
20 cm φ
離子束
聚焦, 平行, 散射
流量
10-40 sccm
通氣
ar, kr, xe, o2, n2, h2, 其他
典型壓力
< 0.5m torr
長度
30 cm
直徑
41 cm
中和器
lfn 2000
kri射頻離子源rficp 220 應(yīng)用領(lǐng)域：
預(yù)清洗
表面改性
輔助鍍膜(光學(xué)鍍膜)ibad,
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 pc
離子濺射沉積和多層結(jié)構(gòu) ibsd
離子蝕刻 ibe
1978 年 dr. kaufman 博士在美國創(chuàng)立 kaufman & robinson, inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源,霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng)40 年改良及發(fā)展已取得多項專利. kri 離子源廣泛用于離子清洗 pc, 離子蝕刻 ibe, 輔助鍍膜 ibad, 離子濺射鍍膜 ibsd 領(lǐng)域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.
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