GD GD5F4GQ6UEYIGR 存儲(chǔ)IC

一、物料概述
spi（串行外圍接口）nand閃存基于行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的nand閃存核心，為嵌入式系統(tǒng)提供了一種超經(jīng)濟(jì)高效的高密度非易失性存儲(chǔ)器存儲(chǔ)解決方案。它是spi-nor和標(biāo)準(zhǔn)并行nand閃存的有吸引力的替代品，具有高級(jí)功能：
1、總引腳數(shù)為8，包括vcc和gnd
2、密度4gb
3、優(yōu)于spi-nor的寫(xiě)入性能和每比特成本
4、比并行nand成本低得多
這種低引腳數(shù)nand閃存遵循行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的串行外圍接口，從一個(gè)密度到另一個(gè)密度始終保持相同的引腳輸出。命令集類(lèi)似于常見(jiàn)的spi-nor命令集，經(jīng)過(guò)修改以處理nand特定的功能并添加了新功能。gigadevice spi nand是一款易于集成的nand閃存，具有特定的設(shè)計(jì)功能，便于主機(jī)管理：
1、用戶(hù)可選擇的內(nèi)部ecc。ecc奇偶校驗(yàn)在頁(yè)面編程操作期間在內(nèi)部生成。當(dāng)頁(yè)面被讀取到緩存寄存器時(shí)，檢測(cè)ecc奇偶校驗(yàn)，并在必要時(shí)糾正錯(cuò)誤。設(shè)備輸出校正數(shù)據(jù)并返回ecc錯(cuò)誤狀態(tài)。
2、使用內(nèi)部ecc移動(dòng)或復(fù)制內(nèi)部數(shù)據(jù)。該設(shè)備可以輕松地刷新和管理垃圾收集任務(wù)，而無(wú)需移入和移出數(shù)據(jù)。此命令字符串只能用于具有相同奇偶校驗(yàn)屬性的塊。
3、通電讀取，內(nèi)部ecc。開(kāi)機(jī)后，設(shè)備會(huì)自動(dòng)將第一個(gè)區(qū)塊的第一頁(yè)讀取到緩存中，然后主機(jī)可以直接從緩存中讀取數(shù)據(jù)，以方便啟動(dòng)。當(dāng)啟用ecc時(shí)，內(nèi)部ecc也保證數(shù)據(jù)正確。
它在基于頁(yè)面的操作中編程和讀取，在基于塊的操作中擦除。數(shù)據(jù)被逐頁(yè)地傳送到數(shù)據(jù)寄存器和高速緩存寄存器，或從nand閃存陣列傳送數(shù)據(jù)。高速緩存寄存器*接近i/o控制電路，并充當(dāng)i/o數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)緩沖器；數(shù)據(jù)寄存器*接近存儲(chǔ)器陣列，并且充當(dāng)nand閃存陣列操作的數(shù)據(jù)緩沖器。高速緩存寄存器用作緩沖存儲(chǔ)器，以啟用頁(yè)面和隨機(jī)數(shù)據(jù)讀/寫(xiě)和復(fù)制回操作。這些設(shè)備還使用spi狀態(tài)寄存器來(lái)報(bào)告設(shè)備操作狀態(tài)。
二、功能特征
1、 4gb slc nand閃存
2、 頁(yè)面大小
（1） 內(nèi)部ecc開(kāi)啟（ecc_en=1，默認(rèn)值）：
頁(yè)面大?。?048字節(jié)+64字節(jié)
（2） 內(nèi)部ecc關(guān)閉（ecc_en=0）：
頁(yè)面大小：2048字節(jié)+128字節(jié)
3、 標(biāo)準(zhǔn)、雙、四spi、dtr
（1） 標(biāo)準(zhǔn)spi：sclk、cs#、si、so、wp#、hold#
（2） -雙spi：sclk、cs#、sio0、sio1、wp#、hold#
（3） 四路spi：sclk、cs#、sio0、sio1、sio2、sio3
（4） dtr（雙傳輸速率）讀?。簊clk、cs#、sio0、sio1、sio2、sio3
4、 高速時(shí)鐘頻率
（1） 3.3v:104mhz，用于30pf負(fù)載的快速讀取
（2） 1.8v:80mhz，用于30pf負(fù)載的快速讀取
（3） 3.3v：四路i/o數(shù)據(jù)傳輸高達(dá)416mbit/s
（4） 1.8v：四路i/o數(shù)據(jù)傳輸敢達(dá)320mbit/s
5、 軟件/硬件寫(xiě)入保護(hù)
（1） 通過(guò)軟件對(duì)所有/部分內(nèi)存進(jìn)行寫(xiě)保護(hù)
（2） 使用wp#引腳注冊(cè)保護(hù)
6、 單電源電壓
（1） 1.8v的全電壓范圍：1.7v~2.0v
（2） 3.3v的全電壓范圍：2.7v~3.6v
7、 高級(jí)安全功能
（1） 8k字節(jié)otp區(qū)域
8、 編程/擦除/讀取速度
（1） 頁(yè)面程序時(shí)間：典型300us
（2） 塊擦除時(shí)間：典型3ms
（3） 頁(yè)面讀取時(shí)間：*大60us
9、 低功耗
（1） 30ma*大有功電流
（2） 85℃時(shí)*大待機(jī)電流為50ua
10、 增強(qiáng)的訪問(wèn)性能
（1） 用于快速隨機(jī)讀取的2kbyte緩存
（2） 緩存讀取和緩存程序
11、 nand的高級(jí)功能
（1） 工廠良好區(qū)塊0
12、 可靠性
（1） 帶ecc的p/e周期：100k
（2） 數(shù)據(jù)保留期：10年
13、 內(nèi)部ecc
（1） 4位/528字節(jié)