IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備

核心業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體功率器件測(cè)試設(shè)備的研制生產(chǎn)，公司產(chǎn)品主要有：
mosfet參數(shù)測(cè)試設(shè)備：
靜態(tài)參數(shù)測(cè)試（包括igss / bvr / vds（sat） / idss / vgsth / vf / rds（on））；動(dòng)態(tài)參數(shù)（開(kāi)通關(guān)斷/反向恢復(fù)/短路/安全工作區(qū)）測(cè)試（包括turn_on&off / qrr_frd / qg / rg / uis / sc / rbsoa 等）；雪崩能力測(cè)試，老化及可靠性測(cè)試（htrb / htgb）。
igbt參數(shù)測(cè)試設(shè)備：
靜態(tài)參數(shù)測(cè)試（包括ige / vge(th) / vcesat / vf / ice / vce）；動(dòng)態(tài)參數(shù)（開(kāi)通關(guān)斷/反向恢復(fù)/短路/安全工作區(qū)）測(cè)試（包括turn_on&off / qrr_frd / qg / rg / uis / sc / rbsoa 等）；老化及可靠性測(cè)試（htrb / htgb）。
二極管及可控硅/晶閘管（scr）參數(shù)測(cè)試設(shè)備：
靜態(tài)參數(shù)測(cè)試（包括igt/vgt / ih / vtm / vd/id / vr/ir / dv/dt / il ）；動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試（turn_on&off / qrr_frd）；浪涌參數(shù)測(cè)試itsm；di/dt測(cè)試；老化及可靠性測(cè)試（高溫阻斷）；熱阻參數(shù)測(cè)試rth。
產(chǎn)品以高度集成化、智能化、高速高精度、超寬測(cè)試范圍等競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，將廣泛應(yīng)用于idm廠商、器件設(shè)計(jì)、制造、封裝廠商及高校研究所等。