高頻開關(guān)整流器用功率管是什么，功率管的特性及主要參數(shù)

自20世紀(jì)70年代開關(guān)電源實(shí)現(xiàn)“20 khz”的之后的一段時(shí)間內(nèi)，雖然在電路技術(shù)方面進(jìn)行了改進(jìn)和提高，但局限于當(dāng)時(shí)半導(dǎo)體器件工業(yè)的發(fā)展水平，作為開關(guān)電源主要部件的大功率開關(guān)管的主要參數(shù)均滿足不了較高頻率、較大功率開關(guān)電源的設(shè)計(jì)要求。
高頻開關(guān)整流器用功率管是什么 自20世紀(jì)80年代以來大功率、高反壓的絕緣柵場效應(yīng)功率管問世之后，伴隨著開關(guān)電源**集成控制電路的應(yīng)用，已逐步將開關(guān)電源的工作頻率提高到100khz以上甚至達(dá)到500～700khz。電源的體積和重量大大減小,單機(jī)輸出功率由過去的幾百瓦已發(fā)展到現(xiàn)在的幾千瓦。
mosfet功率管的特性及主要參數(shù)
金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管(metal-oxide-seniconductor type field-effect transistor)簡稱mosfet，是在近十幾年發(fā)展起來的一種高速、大功率、高耐壓的開關(guān)器件，由于這種開關(guān)功率管屬電壓控制型，穩(wěn)態(tài)工作時(shí)柵較控制電流很小，所以具有很高的電流增益和輸入阻抗。而且結(jié)電容很小，幾乎不存在儲(chǔ)存時(shí)間。
(a)和(b)分別為npn 型雙較型晶體管和n溝道 mosfet的表示符號(hào)。
(a)中雙較型晶體管的3個(gè)較分別為集電極(c)、基較(b)和**較(e)，也就是我們一般所稱的三極管。mosfet 與之相對應(yīng)的3個(gè)較分別為漏較(d)、柵較(g)和源較(s)。n溝道m(xù)osfet管工作時(shí)的電流流向與npn型三極管電流流向相同，這就決定了mosfet管在電路中的連接方法與npn型三極管是一致的，但它們在構(gòu)造和工作方法上有很大的區(qū)別。根本的區(qū)別是mosfet管是多數(shù)載流子運(yùn)動(dòng)導(dǎo)電的半導(dǎo)體器件而三極管是既利用多數(shù)載流子又利用少數(shù)載流子運(yùn)動(dòng)而導(dǎo)電的半導(dǎo)體器件。
mosfet管的靜態(tài)工作特性與雙較型晶體管的工作特性很相似，mosfet管的輸出特性曲線。
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