10N60插件封裝MOS管-ASEMI-插件封裝MOS管

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mos管的金屬氧化物是什么？
mos管結構示意圖中標出的金屬氧化物膜位于上邊部位，25n120插件封裝mos管，這個膜是絕緣的，用來電氣隔離，使得柵*只能形成電場，不能通過直流電，因此是用電壓控制的。在直流電氣上，柵*和源漏*是斷路。不難理解，這個膜越薄：電場作用越好、坎壓越小、相同柵*電壓時導通能力越強。壞處是：越容易擊穿、工藝制作難度越大而價格越貴。
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什么是增強型mos管？
增強型是通過“加厚”導電溝道的厚度來導通，由上圖可以看出，柵*電壓越低，則p型源、漏*的正離子就越靠近中間，n襯底的負離子就越遠離柵*，柵*電壓達到一個值，叫閥值或坎壓時，由p型游離出來的正離子連在一起，形成通道，6n60插件封裝mos管，就是圖示效果。因此，容易理解，柵*電壓必須低到一定程度才能導通，電壓越低，通道越厚，導通電阻越小。由于電場的強度與距離平方成正比，因此，電場強到一定程度之后，電壓下降引起的溝道加厚就不明顯了，也是因為n型負離子的“退讓”是越來越難的。耗盡型的是事先做出一個導通層，10n60插件封裝mos管，用柵*來加厚或者減薄來控制源漏的導通。但這種管子一般不生產(chǎn)，在市面基本見不到。所以，大家平時說mos管，就默認是增強型的。
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mos管（mosfet/場效應管）的主要參數(shù)：
7. *間電容
·三個電*之間都存在著*間電容:柵源電容cgs 、柵漏電容cgd和漏源電容cds
·cgs和cgd約為1~3pf，cds約在0.1~1pf之間
8. 低頻噪聲系數(shù)nf
·噪聲是由管子內部載流子運動的不規(guī)則性所引起的。·由于它的存在，插件封裝mos管，就使一個放大器即便在沒有信號輸人時，在輸出端也出現(xiàn)不規(guī)則的電壓或電流變化
·噪聲性能的大小通常用噪聲系數(shù)nf來表示，它的單位為分貝(db)。這個數(shù)值越小，代表管子所產(chǎn)生的噪聲越小
·低頻噪聲系數(shù)是在低頻范圍內測出的噪聲系數(shù)
·場效應管的噪聲系數(shù)約為幾個分貝，它比雙*性三*管的要小
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