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igbt又稱絕緣柵雙*型晶體管，是由bjt(雙*型三*管)和mos(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件， 其輸入*為mosfet，輸出*為pnp晶體管，因此，可以把其看作是mos輸入的達林頓管。它融合了mosfet的高輸入阻*和gtr的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點，具備易于驅(qū)動、峰值電流容量大、自關(guān)斷、開關(guān)頻率高(10-40 khz) 等特點，已逐步取代晶閘管和gto（門*可關(guān)斷晶閘管），是目前發(fā)展為迅速的新一代電力電子器件。
近些年來，yxlon依科視朗 x ray哪家好，隨著制造成本的下降和發(fā)光效率、光衰等技術(shù)瓶頸的突破，我國的led照明產(chǎn)業(yè)進入了加速發(fā)展階段，應(yīng)用市場迅速增長，這導(dǎo)致了led封裝產(chǎn)業(yè)的巨大市場，催生出了成千上萬家led封裝企業(yè)，使我國成為國際上led封裝的產(chǎn)量大國。但隨之而來的問題是，行業(yè)內(nèi)led封裝產(chǎn)量質(zhì)量參差不齊的現(xiàn)象也成為了led照明產(chǎn)業(yè)不容小覷的成長阻力因素。若led封裝的廢品/次品率為0.1%，則每年億萬只led封裝產(chǎn)品中就可能產(chǎn)生數(shù)億只廢品/次品，造成近億元的直接經(jīng)濟損失。
x射線檢測設(shè)備是一種帶有防護安全的檢測設(shè)備，其外殼能阻止x射線光線泄漏，在x射線發(fā)現(xiàn)初期，研究者發(fā)現(xiàn)x射線可以穿透大部分的材質(zhì)，但鉛板幾乎無法穿越。x射線檢測設(shè)備的外殼正是利用了這點，采用了鋼-鉛-鋼三層防護的方式，阻止x射線滲出。所以，盡管x射線能對*造成一定的危害，但x射線檢測設(shè)備通過增加含鉛外殼，將x射線隔絕外界，對x射線檢測設(shè)備的作業(yè)員來說能起到更安全的保護意義。
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