上海伯東代理美國(guó)原裝進(jìn)口 KRI 考夫曼離子源 KDC 40

kri 考夫曼離子源kdc 40上海伯東代理美國(guó)原裝進(jìn)口 kri 考夫曼離子源kdc 40: 小型低成本直流柵極離子源. kdc 40 是 3cm 考夫曼型離子源升級(jí)款. 具有更大的柵極, 更堅(jiān)固, 可以配置自對(duì)準(zhǔn)第三層?xùn)艠O.離子源kdc 40 適用于所有的離子工藝, 例如預(yù)清洗, 表面改性, 輔助鍍膜, 濺射鍍膜, 離子蝕刻和沉積.離子源kdc 40 兼容惰性或活性氣體, 例如氧氣和氮?dú)? 標(biāo)準(zhǔn)配置下離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過(guò) 120 ma.kri 考夫曼離子源kdc 40 技術(shù)參數(shù)
型號(hào)
kdc 40
陽(yáng)極
dc 直流
陽(yáng)極功率
100w
*大離子束流
>100ma
電壓
100-1200v
氣體
惰性和反應(yīng)氣體
進(jìn)氣流量
2-10sccm
壓力
<0.5m torr
離子光學(xué)(自對(duì)準(zhǔn))
optibeamtm
離子束直徑
4cm φ max
柵極
鉬和石墨
離子束形狀
聚焦, 平行, 散射
高度
16cm
直徑
9cm
kri 考夫曼離子源kdc 40 應(yīng)用領(lǐng)域?yàn)R鍍和蒸發(fā)鍍膜 pc輔助鍍膜(光學(xué)鍍膜)ibad表面改性, 激活 sm離子濺射沉積和多層結(jié)構(gòu) ibsd離子蝕刻 ibe
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